界面新聞記者 | 宋佳楠
10月29日，存儲芯片板塊震蕩走高，時空科技漲停走出6連板，同有科技漲超7%，德�？萍�、云漢芯城、西安奕材、佰維存儲等紛紛上揚。
近期，存儲產(chǎn)品價格呈現(xiàn)出驚人的上漲態(tài)勢。從現(xiàn)貨市場數(shù)據(jù)來看，在10月13日至18日期間，DRAM方面，DDR5 16G、DDR4 16G均價相較上周分別上漲20.59%、11.11%，相較上月漲幅更是高達58.73%、43%。DDR全稱為Double Data Rate（雙倍數(shù)據(jù)速率），是內(nèi)存條（即動態(tài)隨機存取存儲器，DRAM）的核心技術(shù)標準，也是衡量內(nèi)存性能的關(guān)鍵指標之一。
據(jù)海報新聞報道，在浙江杭州，內(nèi)存條近一個月價格翻了一番。有商戶表示，原來200多元的內(nèi)存條現(xiàn)在漲到400多元，原來1000多元的則漲到近2000元。
社交媒體上不少網(wǎng)友紛紛曬出自己所囤的內(nèi)存條，慶幸提前組裝了電腦，“真沒想到內(nèi)存條如今成了‘電子茅臺’，漲得比黃金還快�！�
TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，2025年第三季度，DRAM價格較去年同期大幅上漲171.8%。若以今日國際現(xiàn)貨黃金價格3956美元計，較去年低位時的1890美元也只漲了不到110%。
內(nèi)存條價格的上漲主要源于其核心功能單元存儲芯片漲價。存儲芯片是一種用于存儲數(shù)字信息的半導體器件，能夠?qū)⒂嬎銠C、手機、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備等電子系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)進行“寫入”“保存”和“讀取”，相當于電子系統(tǒng)的“記憶單元”。
存儲芯片具體可分為兩類：一是數(shù)據(jù)持久化存儲（如NAND閃存，斷電后數(shù)據(jù)不丟失），二是實時數(shù)據(jù)暫存（如DRAM，需持續(xù)供電，讀寫速度快）；其中，基于DRAM技術(shù)的高端品類HBM（高帶寬內(nèi)存），可滿足AI計算、服務器等場景中“海量數(shù)據(jù)實時流轉(zhuǎn)”的需求。
在供應鏈端，當前全球存儲芯片行業(yè)正面臨著復雜局面。隨著AI產(chǎn)業(yè)需求爆發(fā)，AI模型訓練和大數(shù)據(jù)處理需要海量高帶寬、低延遲的內(nèi)存支撐，單臺AI服務器對DRAM的需求是普通服務器的8倍。像OpenAI等企業(yè)提出的每月90萬片晶圓訂單，相當于消耗了當前全球DRAM月產(chǎn)能的53%，極大地拉動了服務器內(nèi)存需求。
此外，全球三大存儲巨頭三星、海力士和美光將大量晶圓產(chǎn)能轉(zhuǎn)向HBM和DDR5生產(chǎn)，這直接擠壓了DDR4的產(chǎn)能空間，使得DDR4產(chǎn)量減少，市場上供不應求。
為應對漲價，早在年初就有不少經(jīng)銷商開始大量囤貨鎖價。在華強北等電子集散地，自二季度開始出現(xiàn)經(jīng)銷商大規(guī)模掃貨現(xiàn)象，導致民用市場的現(xiàn)貨流通量減少，進一步加劇了價格上漲。
TrendForce集邦咨詢7月發(fā)布的報告顯示，由于三大廠轉(zhuǎn)移產(chǎn)能，并宣布個人電腦、服務器用DDR4及手機用LPDDR4X進入產(chǎn)品生命周期末期，引發(fā)了市場對上一代產(chǎn)品積極備貨，再加上正值存儲行業(yè)旺季，現(xiàn)貨市場供不應求。2025年第三季度DRAM合約價上漲10%至15%，第三季漲價幅度達到40%至45%。
國泰君安證券也在10月發(fā)布的研報中指出，存儲行業(yè)已進入新一輪上行周期，服務器需求回暖疊加AI服務器放量，是本輪漲價的核心驅(qū)動力。報告特別強調(diào)，隨著大模型訓練和推理對內(nèi)存容量的需求激增，HBM和DDR5內(nèi)存的緊缺將進一步傳導至整個存儲產(chǎn)業(yè)鏈。
此前小米發(fā)布紅米K90手機時，創(chuàng)始人雷軍便將不同版本間價差過大歸因于存儲成本上漲。而小米集團合伙人、總裁盧偉冰則稱，“我們無法改變?nèi)蚬⿷湹淖邉�，存儲成本上漲也遠高于預期，且會持續(xù)加劇。”
面對這樣的市場環(huán)境，國內(nèi)存儲廠商也在積極應對。一些模組廠通過提前囤貨，在一定程度上緩解了供應壓力，部分企業(yè)還加強與國產(chǎn)晶圓廠合作，以保障供應鏈穩(wěn)定。
